高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，选用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

  氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3

  碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，

  N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载

  75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载

  60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

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  50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

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  40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

  10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载

  近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A

  封装IGBT单管 /

  -2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种使用场景。

  各位大神，求电路图，用MC34063规划出一个升降压DC-DC，输出900mA左右